Armazenamento de dados de alta densidade e ultralongo prazo com defeitos atômicos em SiC
Há uma necessidade urgente de aumentar a capacidade global de armazenamento de dados, uma vez que as abordagens atuais ficam aquém do crescimento exponencial da geração de dados impulsionada pela Internet, pelas redes sociais e pelas tecnologias de nuvem. Além de aumentar a densidade de armazenamento, as novas soluções deverão fornecer arquivamento de dados de longo prazo que vai muito além da tradicional memória magnética, discos ópticos e unidades de estado sólido. Aqui, é proposto um conceito de arquivamento de dados de alta densidade, ultralongo e com eficiência energética, baseado em defeitos de tamanho atômico opticamente ativos em um material resistente à radiação, o carboneto de silício (SiC). A informação é escrita nesses defeitos por feixes de íons focados e lida usando fotoluminescência ou catodoluminescência. A desativação desses defeitos dependente da temperatura sugere um tempo de retenção mínimo ao longo de algumas gerações sob condições ambientais. Com excitação de la...